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IRFHM792TRPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	IRFHM792TRPBF
説明:	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	2.3W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
ベース部材番号	IRFHM792PBF
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	195mOhm @ 2.9A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	251pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.3A