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IRFHM830DTR2PBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRFHM830DTR2PBF
説明:	MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.3mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PQFN (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1797pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	20A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V