画像は参考までに、仕様書を参照してください
IRFHM8363TR2PBF
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | IRFHM8363TR2PBF |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | HEXFET® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 2.7W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-PowerVDFN |
| ベース部材番号 | IRFHM8363PBF |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 11A |
在庫が 54 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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