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IRFHM9331TR2PBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRFHM9331TR2PBF
説明:	MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±25V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10mOhm @ 11A, 20V
電力放蕩(マックス)	2.8W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	PQFN (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1543pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Ta), 24A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V, 20V