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IRFHS8242TR2PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFHS8242TR2PBF
説明: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 13mOhm @ 8.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-PQFN (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 653pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.9A (Ta), 21A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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