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IRFL024N

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFL024N
説明: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SOT-223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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