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IRFR9N20DPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRFR9N20DPBF
説明:	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	380mOhm @ 5.6A, 10V
電力放蕩(マックス)	86W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D-Pak
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V