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IRFS5620PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFS5620PBF
説明: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 77.5mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 144W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 24A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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