IRFU3711
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IRFU3711 |
説明: | MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HEXFET® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 6.5mOhm @ 15A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 2.5W (Ta), 120W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | IPAK (TO-251) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2980pF @ 10V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 100A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |