IRG7CH35UEF
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | IRG7CH35UEF |
説明: | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Bulk |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 85nC |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | Die |
実験条件 | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | - |
td (on / off) @ 25°c | 30ns/160ns |
作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | Die |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 5A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 70 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1