画像は参考までに、仕様書を参照してください
IRG8B08N120KDPBF
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | IRG8B08N120KDPBF |
| 説明: | DIODE 1200V 8A TO-220 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 45nC |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 89W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| 実験条件 | 600V, 5A, 47Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 300µJ (on), 300µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 20ns/160ns |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| 反転回復時間(trr) | 50ns |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 15A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 15A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 92 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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