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IRG8CH106K10F
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | IRG8CH106K10F |
| 説明: | IGBT 1200V 110A DIE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 包装 | Bulk |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 700nC |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| 実験条件 | 600V, 110A, 1Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | 80ns/380ns |
| 作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | Die |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 110A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 87 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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