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IRG8CH76K10F

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IRG8CH76K10F
説明: IGBT CHIP WAFER
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Bulk
入力タイプ Standard
門電荷 480nC
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
実験条件 600V, 75A, 1.5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c 80ns/210ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Die
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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