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IRG8P25N120KD-EPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IRG8P25N120KD-EPBF
説明: IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 135nC
部地位 Obsolete
-マックス 180W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 15A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 800µJ (on), 900µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 20ns/170ns
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247AD
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
反転回復時間(trr) 70ns
現在-コレクター・Ic (Max) 40A
現在-コレクターピン(Icm) 45A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 91 pcs

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