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IRLHS6342TR2PBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRLHS6342TR2PBF
説明:	MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	2.1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-PQFN (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1019pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	8.7A (Ta), 19A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V