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IRLR4343-701PBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRLR4343-701PBF
説明:	MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V
電力放蕩(マックス)	79W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	I-PAK (LF701)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	26A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V