ISP25DP06LMSATMA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | ISP25DP06LMSATMA1 |
説明: | MOSFET P-CH 60V SOT223-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | OptiMOS™ |
fet234タイプ | P-Channel |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-261-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 250mOhm @ 1.9A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-SOT223 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 30V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 1.9A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 85 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1