画像は参考までに、仕様書を参照してください

ISS55EP06LMXTSA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	ISS55EP06LMXTSA1
説明:	MOSFET P-CH 60V SOT23-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	P-Channel
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 11µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5Ohm @ 180mA, 10V
電力放蕩(マックス)	400mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT23-3-5
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	590pC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	18pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	180mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V