画像は参考までに、仕様書を参照してください
PTFA191001EV4XWSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| データシート: | PTFA191001EV4XWSA1 |
| 説明: | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| 利得 | 17dB |
| シリーズ | - |
| 周波数 | 1.96GHz |
| 包装 | Tray |
| 部地位 | Obsolete |
| ノイズ図 | - |
| 现行の中国语-水平考试 | 900mA |
| パケット/場合 | 2-Flatpack, Fin Leads |
| 力-出力 | 44dBm |
| -電圧検査 | 30V |
| トランジスタタイプ | LDMOS |
| 電圧-評価 | 65V |
| ベース部材番号 | PTFA191001 |
| 現在の視聴率(アンペア) | 10µA |
| サプライヤー装置パッケージ | H-36248-2 |
在庫が 88 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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