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SGB15N120ATMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | SGB15N120ATMA1 |
| 説明: | IGBT 1200V 30A 198W TO263-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | NPT |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 130nC |
| 部地位 | Not For New Designs |
| -マックス | 198W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 実験条件 | 800V, 15A, 33Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 1.9mJ |
| td (on / off) @ 25°c | 18ns/580ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TO263-3 |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 15A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 30A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 52A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 50 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.92 | $2.86 | $2.80 |
最小: 1
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