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SGB15N120ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: SGB15N120ATMA1
説明: IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 130nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 198W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 800V, 15A, 33Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.9mJ
td (on / off) @ 25°c 18ns/580ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A
現在-コレクター・Ic (Max) 30A
現在-コレクターピン(Icm) 52A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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