画像は参考までに、仕様書を参照してください
SIDC06D120H8X1SA2
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | SIDC06D120H8X1SA2 |
| 説明: | DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| 容量@ Vr, F | - |
| サプライヤー装置パッケージ | Sawn on foil |
| 逆流漏れ@ Vr | 27µA @ 1200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
| 電流-平均整流器(Io) | 7.5A (DC) |
| 操作温度-接合部 | -40°C ~ 175°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.97V @ 7.5A |
在庫が 85 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.26 | $1.23 | $1.21 |
最小: 1
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