Image is for reference only , details as Specifications

SIDC14D120H6X1SA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: SIDC14D120H6X1SA1
説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Bulk
ダイオードタイプ Standard
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
容量@ Vr, F -
サプライヤー装置パッケージ Sawn on foil
逆流漏れ@ Vr 27µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
電流-平均整流器(Io) 25A (DC)
操作温度-接合部 -55°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.6V @ 25A

在庫が 60 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SIDC42D60E6X1SA1
Infineon Technologies
$0
SIDC42D170E6X1SA2
Infineon Technologies
$0
SIDC42D120H6X1SA3
Infineon Technologies
$0
BAS 70 B5003
Infineon Technologies
$0
BAS 40 B5003
Infineon Technologies
$0