SPB80N10L G
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SPB80N10L G |
説明: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | SIPMOS® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Discontinued at Digi-Key |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 14mOhm @ 58A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 250W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO263-3-2 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 80A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 53 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1