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SPP02N60S5HKSA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SPP02N60S5HKSA1
説明:	MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 80µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3Ohm @ 1.1A, 10V
電力放蕩(マックス)	25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO220-3-1
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V