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DS1230AB-200IND

メーカー: Lanka Micro
対象品目: Memory
データシート: DS1230AB-200IND
説明: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Maxim Integrated
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tube
技術 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間 200ns
メモリサイズ 256Kb (32K x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Obsolete
メモリフォーマット NVSRAM
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
ベース部材番号 DS1230AB
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 4.75V ~ 5.25V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 28-EDIP
サイクル時間−単語,ページを書く 200ns

在庫が 91 pcs

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