画像は参考までに、仕様書を参照してください
MT47H512M4THN-25E:M
| メーカー: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Memory |
| データシート: | MT47H512M4THN-25E:M |
| 説明: | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Micron Technology Inc. |
| 対象品目 | Memory |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tray |
| 技術 | SDRAM - DDR2 |
| アクセス時間 | 400ps |
| メモリサイズ | 2Gb (512M x 4) |
| メモリタイプ | Volatile |
| 部地位 | Obsolete |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 63-TFBGA |
| クロック周波数 | 400MHz |
| メモリ・インターフェース | Parallel |
| 電圧-供給 | 1.7V ~ 1.9V |
| 作動温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| サプライヤー装置パッケージ | 63-FBGA (8x10) |
| サイクル時間−単語,ページを書く | 15ns |
在庫が 77 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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