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NAND01GW3B2BZA6E

メーカー: Micron Technology Inc.
対象品目: Memory
データシート: NAND01GW3B2BZA6E
説明: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Micron Technology Inc.
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 FLASH - NAND
アクセス時間 30ns
メモリサイズ 1Gb (128M x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Obsolete
メモリフォーマット FLASH
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 63-TFBGA
ベース部材番号 NAND01G-A
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 2.7V ~ 3.6V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 63-VFBGA (9x11)
サイクル時間−単語,ページを書く 30ns

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