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NAND04GR3B2DN6E

メーカー: Micron Technology Inc.
対象品目: Memory
データシート: NAND04GR3B2DN6E
説明: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Micron Technology Inc.
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 FLASH - NAND
アクセス時間 25ns
メモリサイズ 4Gb (512M x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Discontinued at Digi-Key
メモリフォーマット FLASH
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
ベース部材番号 NAND04G
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.7V ~ 1.95V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 48-TSOP
サイクル時間−単語,ページを書く 25ns

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