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CSD16327Q3T

メーカー: NA
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: CSD16327Q3T
説明: CSD16327Q3T
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NA
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ NexFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max +10V, -8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4mOhm @ 24A, 8V
電力放蕩(マックス) 74W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 12.5V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 3V, 8V

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