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CSD18511KTT

メーカー: NA
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: CSD18511KTT
説明: GEN1.4 40V-20V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NA
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ NexFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス) 188W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ DDPAK/TO-263-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 5940pF @ 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 194A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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