CSD19536KTTT
メーカー: | NA |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | CSD19536KTTT |
説明: | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | NA |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | NexFET™ |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 375W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | DDPAK/TO-263-3 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 200A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 6V, 10V |
在庫が 1984 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1