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CSD19538Q2T

メーカー:	NA
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	CSD19538Q2T
説明:	MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NA
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	NexFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	59mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	6-WSON (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	454pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	13.1A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V