CSD23201W10
メーカー: | NA |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | CSD23201W10 |
説明: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | NA |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | NexFET™ |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vgs max | -6V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 4-UFBGA, DSBGA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 82mOhm @ 500mA, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 1W (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | 4-DSBGA (1x1) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 12V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 2.2A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |