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CSD25211W1015

メーカー:	NA
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	CSD25211W1015
説明:	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NA
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	NexFET™
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	-6V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	33mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-DSBGA (1x1.5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V