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CSD25303W1015

メーカー: NA
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: CSD25303W1015
説明: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NA
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ NexFET™
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 58mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-DSBGA (1x1.5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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