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CSD86330Q3D

メーカー: NA
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: CSD86330Q3D
説明: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NA
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ NexFET™
fet234タイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 6W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerLDFN
ベース部材番号 CSD86330
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 9.6mOhm @ 14A, 8V
サプライヤー装置パッケージ 8-LSON (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 12.5V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A

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