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TPS1101DR

メーカー: NA
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPS1101DR
説明: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NA
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max +2V, -15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 791mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.7V, 10V

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