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TPS1120DR

メーカー: NA
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: TPS1120DR
説明: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NA
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 840mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 TPS1120
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 15V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 1.17A

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