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A2G35S160-01SR3

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
データシート: A2G35S160-01SR3
説明: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - RF
利得 15.7dB
シリーズ -
周波数 3.4GHz ~ 3.6GHz
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
ノイズ図 -
现行の中国语-水平考试 190mA
パケット/場合 NI-400S-2S
力-出力 51dBm
-電圧検査 48V
トランジスタタイプ LDMOS
電圧-評価 125V
現在の視聴率(アンペア) -
サプライヤー装置パッケージ NI-400S-2S

在庫が 250 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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