A2G35S160-01SR3
メーカー: | NXP USA Inc. |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
データシート: | A2G35S160-01SR3 |
説明: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | NXP USA Inc. |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
利得 | 15.7dB |
シリーズ | - |
周波数 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
包装 | Digi-Reel® |
部地位 | Active |
ノイズ図 | - |
现行の中国语-水平考试 | 190mA |
パケット/場合 | NI-400S-2S |
力-出力 | 51dBm |
-電圧検査 | 48V |
トランジスタタイプ | LDMOS |
電圧-評価 | 125V |
現在の視聴率(アンペア) | - |
サプライヤー装置パッケージ | NI-400S-2S |
在庫が 250 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1