画像は参考までに、仕様書を参照してください
A2G35S200-01SR3
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| データシート: | A2G35S200-01SR3 |
| 説明: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| 利得 | 16.1dB |
| シリーズ | - |
| 周波数 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| ノイズ図 | - |
| 现行の中国语-水平考试 | 291mA |
| パケット/場合 | NI-400S-2S |
| 力-出力 | 180W |
| -電圧検査 | 48V |
| トランジスタタイプ | LDMOS |
| 電圧-評価 | 125V |
| 現在の視聴率(アンペア) | - |
| サプライヤー装置パッケージ | NI-400S-2S |
在庫が 246 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
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