画像は参考までに、仕様書を参照してください
A2V07H525-04NR6
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| データシート: | A2V07H525-04NR6 |
| 説明: | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| 利得 | 17.5dB |
| シリーズ | - |
| 周波数 | 595MHz ~ 851MHz |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Active |
| ノイズ図 | - |
| 现行の中国语-水平考试 | 700mA |
| パケット/場合 | OM-1230-4L |
| 力-出力 | 120W |
| -電圧検査 | 48V |
| トランジスタタイプ | LDMOS |
| 電圧-評価 | 105V |
| 現在の視聴率(アンペア) | 10µA |
| サプライヤー装置パッケージ | OM-1230-4L |
在庫が 67 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $136.64 | $133.91 | $131.23 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds
