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BC875,126

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BC875,126
説明: TRANS NPN DARL 45V 1A TO-92
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Box (TB)
部地位 Obsolete
-マックス 830mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ NPN - Darlington
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.8V @ 1mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 50nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 2000 @ 500mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 45V

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