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BFG198,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFG198,115
説明: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 -
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BFG198
作動温度 175°C (TJ)
周波数-遷移 8GHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-223
騷音図(dB Typ @ f) -
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 10V

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