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BFG410W,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFG410W,115
説明: RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 21dB
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Obsolete
-マックス 54mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-82A, SOT-343
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BFG410
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 22GHz
サプライヤー装置パッケージ CMPAK-4
騷音図(dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 12mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 50 @ 10mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 4.5V

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