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BFG520W/X,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFG520W/X,115
説明: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 -
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-343 Reverse Pinning
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BFG520
作動温度 175°C (TJ)
周波数-遷移 9GHz
サプライヤー装置パッケージ 4-SO
騷音図(dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
現在-コレクター・Ic (Max) 70mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 60 @ 20mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 15V

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