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BFU725F/N1,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFU725F/N1,115
説明: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 10dB ~ 24dB
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 136mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-343 Reverse Pinning
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BFU725
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 55GHz
サプライヤー装置パッケージ 4-SO
騷音図(dB Typ @ f) 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 40mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 160 @ 10mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 2.8V

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