Image is for reference only , details as Specifications

BFU730LXZ

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFU730LXZ
説明: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 15.8dB
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 160mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XFDFN
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -
周波数-遷移 53GHz
サプライヤー装置パッケージ 3-DFN1006 (1.0x0.6)
騷音図(dB Typ @ f) 0.75dB @ 6GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 30mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 205 @ 2mA, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 3V

在庫が 10350 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

BFU910FX
NXP USA Inc.
$0
2SC4774T106S
ROHM Semiconductor
$0
DSC5G0200L
Panasonic Electronic Components
$0
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
DDTC114ECA-7-F
Diodes Incorporated
$0