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PBLS2003S,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: PBLS2003S,115
説明: TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 1.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
トランジスタタイプ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
ベース部材番号 PBLS2003
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA, 3A
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA, 100nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V, 20V

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