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PBSS4350S,126

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	PBSS4350S,126
説明:	TRANS NPN 50V 3A TO92
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Box (TB)
部地位	Obsolete
-マックス	830mW
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ	NPN
ベース部材番号	PBSS4350
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-92-3
vイス(Max) @ Ib、Ic	290mV @ 200mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max)	3A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 2A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V