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PBSS9110S,126

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: PBSS9110S,126
説明: TRANS PNP 100V 1A TO92
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Box (TB)
部地位 Obsolete
-マックス 830mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 PBSS9110
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 320mV @ 100mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 150 @ 500mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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